cmos digital image sensor 文章最新資訊

CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號的無縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動 SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
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精于微智于芯：盛思銳微型化傳感器亮相SENSOR CHINA 2025

共話十年變遷，共謀未來新局。9月24日至26日，中國（上海）國際傳感器技術(shù)與應(yīng)用展覽會（SENSOR CHINA 2025）在上?？鐕少彆怪行穆≈嘏e辦，迎來其具有里程碑意義的十周年。作為SENSOR CHINA的“老朋友”，創(chuàng)新傳感器解決方案的提供者——盛思銳（Sensirion）以“精于微·智于芯”為主題精彩亮相本屆展會，多維度呈現(xiàn)其在傳感器微型化、集成化與智能化領(lǐng)域的前沿突破性成果，深刻詮釋了“感知十年，聯(lián)接無限”的展會愿景。盛思銳現(xiàn)場展臺在萬物互聯(lián)向萬物智聯(lián)演進(jìn)的浪潮中，傳感器的“微型化”已成為
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定義中國傳感產(chǎn)業(yè)的全球坐標(biāo)，書寫智能感知的未來

2025年上半年，中國電子行業(yè)在 AI 與智能制造雙輪驅(qū)動下活力迸發(fā)，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長11.1%，出口、AI 終端創(chuàng)新與國產(chǎn)軟硬件生態(tài)均呈向好態(tài)勢。作為感知層核心的傳感器，正成為技術(shù)變革與產(chǎn)業(yè)躍遷的關(guān)鍵。其技術(shù)矩陣已實(shí)現(xiàn)多維突破，多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率也大幅提升，本土頭部企業(yè)也開始躋身全球供應(yīng)鏈前列，構(gòu)建起從基礎(chǔ)元件到系統(tǒng)集成的全鏈條競爭力。亮眼成績源于十年積淀。傳感器產(chǎn)業(yè)在2025年將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健躍遷，而與行業(yè)同行的SENSOR CHINA，作為全亞洲權(quán)威性最強(qiáng)、專業(yè)性最高、規(guī)模最大的傳感
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走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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GlobalFoundries 與中國代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級 CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略，首期將啟動汽車級 CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國有需求的國內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
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CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學(xué)格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺積電

英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動了需求，并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產(chǎn)：Nv
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2D CMOS，下一個(gè)飛躍

二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
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激光雷達(dá)掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？

激光雷達(dá)，對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達(dá)能夠?qū)崟r(shí)生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準(zhǔn)檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動駕駛汽車安全行駛、實(shí)現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí)，各位讀者有沒有想過，這些越來越多激光雷達(dá)，會逐漸開始危害我們的財(cái)產(chǎn)安全，而首當(dāng)其沖的就是手機(jī)
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村田制作所與R&S開發(fā)測量Digital Envelope Tracking省電效果的RF系統(tǒng)

株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）與Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG（總部：德國慕尼黑，以下簡稱”Rohde & Schwarz公司”）聯(lián)合開發(fā)了RF（Radio Frequency）1系統(tǒng)（以下簡稱“本系統(tǒng)”），用于測量村田專有的功率控制技術(shù)——Digital ET (Digital Envelope Tracking)2的效果。通過使用本系統(tǒng)，可以高精度地測量5G和6G等的通信設(shè)備中Digital ET的省電效果。?近年來，隨著通信設(shè)備的
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CMOS可靠性測試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了？

攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號：從智能手機(jī)到自動駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測，CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn)，CIS市場格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點(diǎn)國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
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圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一

當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí)，圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設(shè)備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評估，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣，錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢下，將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲部門聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
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